由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品，又被稱為（）。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實體就是（）。

版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？

規(guī)定版圖幾何設(shè)計規(guī)則的意義是什么？

說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。

圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

20世紀上半葉對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)量展做出貢獻的4種不同產(chǎn)業(yè)主要是（）。

編寫DRC版圖驗證文件的主要依據(jù)是什么？