填空題縮略語(yǔ)PECVD、LPCVD、HDPCVD和APCVD的中文名稱分別是()、()、高密度等離子體化學(xué)氣相淀積和()。
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比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路,試分析兩者存在差異的原因。
題型:?jiǎn)柎痤}
把半導(dǎo)體級(jí)硅的多晶硅塊,轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過(guò)程,稱作()。生長(zhǎng)后的單晶硅被稱為()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
什么是MOS器件的體效應(yīng)?
題型:?jiǎn)柎痤}
MOS器件按比例縮小后對(duì)器件特性有什么影響?
題型:?jiǎn)柎痤}
版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么?
題型:?jiǎn)柎痤}
編寫DRC版圖驗(yàn)證文件的主要依據(jù)是什么?
題型:?jiǎn)柎痤}
目前集成電路版圖設(shè)計(jì)的主流工具有哪些?
題型:?jiǎn)柎痤}
什么是電阻率?它的單位是什么(國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)單位制)?
題型:?jiǎn)柎痤}
根據(jù)圖,給出M2管的漏極電流表達(dá)式。
題型:?jiǎn)柎痤}
硅半導(dǎo)體工藝中的絕緣材料主要來(lái)源于硅自身產(chǎn)生的()材料等。
題型:多項(xiàng)選擇題