為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計上采取哪些措施？

20世紀上半葉對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)量展做出貢獻的4種不同產(chǎn)業(yè)主要是（）。

MOS場效應(yīng)管（MOSFET）在20世紀70年代得到了廣泛的接受，從那時起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。

把半導(dǎo)體級硅的多晶硅塊，轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過程，稱作（）。生長后的單晶硅被稱為（）。

試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點。

硅半導(dǎo)體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。

版圖設(shè)計的基本前提是什么？

集成電路電阻可以通過（）產(chǎn)生。

編寫DRC版圖驗證文件的主要依據(jù)是什么？

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。