圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個(gè)NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。

半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。

MOS器件按比例縮小后對器件特性有什么影響？

材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。

設(shè)計(jì)一個(gè)CMOS差分放大器電路，寫出其對應(yīng)的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。

試用電導(dǎo)率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設(shè)計(jì)1kΩ的電阻，設(shè)電阻寬1μm，求其長。

在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實(shí)體就是（）。

MOS器件存在哪些二階效應(yīng)？

說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。

什么是無源電阻？什么是有源電阻？舉例說明。