由于襯底材料的緣故會(huì)自動(dòng)產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。

版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？

根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達(dá)式。

試用電導(dǎo)率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設(shè)計(jì)1kΩ的電阻，設(shè)電阻寬1μm，求其長(zhǎng)。

由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品，又被稱為（）。

從天然硅中獲得達(dá)到生產(chǎn)半導(dǎo)體器件所需純度的SGS要經(jīng)過（）等步驟。

試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點(diǎn)。

圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個(gè)NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請(qǐng)畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

硅半導(dǎo)體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。