試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點。

集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)？

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。

把半導(dǎo)體級硅的多晶硅塊，轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過程，稱作（）。生長后的單晶硅被稱為（）。

什么是電阻率？它的單位是什么（國際標準單位制）？

版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？

版圖設(shè)計的基本前提是什么？

半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。

說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。