20世紀(jì)上半葉對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)量展做出貢獻(xiàn)的4種不同產(chǎn)業(yè)主要是（）。

把半導(dǎo)體級硅的多晶硅塊，轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過程，稱作（）。生長后的單晶硅被稱為（）。

由于襯底材料的緣故會自動產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。

集成電路電阻可以通過（）產(chǎn)生。

什么是電阻率？它的單位是什么（國際標(biāo)準(zhǔn)單位制）？

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。

MOS器件按比例縮小后對器件特性有什么影響？

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。

MOS器件存在哪些二階效應(yīng)？