圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。

硅半導體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。

從天然硅中獲得達到生產(chǎn)半導體器件所需純度的SGS要經(jīng)過（）等步驟。

在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實體就是（）。

MOS場效應(yīng)管（MOSFET）在20世紀70年代得到了廣泛的接受，從那時起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。

MOS器件按比例縮小后對器件特性有什么影響？

20世紀上半葉對半導體產(chǎn)業(yè)量展做出貢獻的4種不同產(chǎn)業(yè)主要是（）。

MOS器件存在哪些二階效應(yīng)？

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計上采取哪些措施？

編寫DRC版圖驗證文件的主要依據(jù)是什么？