什么是MOS器件的體效應(yīng)？

根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達(dá)式。

MOS器件存在哪些二階效應(yīng)？

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。

集成電路電阻可以通過（）產(chǎn)生。

試用電導(dǎo)率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設(shè)計(jì)1kΩ的電阻，設(shè)電阻寬1μm，求其長。

20世紀(jì)上半葉對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)量展做出貢獻(xiàn)的4種不同產(chǎn)業(yè)主要是（）。

晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。

半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。

由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品，又被稱為（）。