從設計的觀點出發(fā)，版圖設計規(guī)則應包括哪些部分？

把半導體級硅的多晶硅塊，轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過程，稱作（）。生長后的單晶硅被稱為（）。

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

MOS器件存在哪些二階效應？

說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。

MOS場效應管（MOSFET）在20世紀70年代得到了廣泛的接受，從那時起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。

BiCMOS技術就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構(gòu)的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構(gòu)的高電流驅(qū)動能力。

集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)？

材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。

硅半導體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。