在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，畫出Vx從一個大的正值下降時Ix的草圖。

設計一個CMOS差分放大器電路，寫出其對應的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。

MOS場效應管（MOSFET）在20世紀70年代得到了廣泛的接受，從那時起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。

從設計的觀點出發(fā)，版圖設計規(guī)則應包括哪些部分？

由于襯底材料的緣故會自動產生電容，這種電容稱為（）。

由硅片生產的半導體產品，又被稱為（）。

什么是無源電阻？什么是有源電阻？舉例說明。

規(guī)定版圖幾何設計規(guī)則的意義是什么？

在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實體就是（）。

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。