A、強(qiáng)度硬度下降,塑性韌性提高
B、強(qiáng)度硬度提高,塑性韌性下降
C、強(qiáng)度韌性提高,塑性韌性下降
D、強(qiáng)度韌性下降,塑性硬度提高
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A、晶粒的相對滑動(dòng)
B、晶格的扭折
C、位錯(cuò)的滑移
D、位錯(cuò)類型的改變
A、增大VK
B、增加淬透性
C、減小其淬透性
D、增大其淬硬性
A.等溫退火
B.完全退火
C.球化退火
D.正火
A、溫度
B、拉力
C、錨具構(gòu)造
D、張拉錨固工藝
A、L
B、S
C、J
D、M
最新試題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生()電流。
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢的現(xiàn)象稱()
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
下列選項(xiàng)中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()