下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）

硅片拋光在原理上不可分為（）

熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

PN結(jié)的基本特性是（）

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。

影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；

下列哪個不是單晶常用的晶向（）

雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）

在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。