半導(dǎo)體具有的負(fù)的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是（）年。

P溝增強(qiáng)型MOS管存在著一個(gè)柵極截止電壓。

N溝增強(qiáng)型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。

“合金型晶體管”，“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中，目前生產(chǎn)最主要的一種是（）。

MOS的輸出特性曲線中，給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。

第一塊集成電路發(fā)明于（）年。

MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。

晶體管的全部應(yīng)用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。

理想的MOS管其柵極電壓只會(huì)落在絕緣層和半導(dǎo)體襯底表面層上，柵極分壓占比小于50%。

MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無關(guān)。