雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。

MOS管可以分為4類型，其中p溝增強(qiáng)型MOS的載流子主要是電子。

第一塊集成電路發(fā)明于（）年。

半導(dǎo)體的主要特征有（）（）（）和（）。

P溝增強(qiáng)型MOS管存在著一個(gè)柵極截止電壓。

晶體管的全部應(yīng)用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。

MOS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關(guān)的。

柵極材料和半導(dǎo)體襯底材料的功函數(shù)差會(huì)影響MOS管的閾值電壓。

氧化鋁（Al2O3）的介電常數(shù)一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數(shù)。

處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管，漏極將失去對(duì)溝道電流的控制能力。