絕緣層材料的厚度會對MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。

1947年，（）等人制造了第一個晶體管。

第一塊集成電路發(fā)明于（）年。

實際的MOS管，絕緣層相當于一個電阻無限大的絕緣體，其中沒有任何雜質(zhì)和缺陷。

MOS管閾值電壓的單位是eV。

絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。

“合金型晶體管”，“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中，目前生產(chǎn)最主要的一種是（）。

（）是最早實現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導體材料。

P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

N溝增強型MOS管襯底材料是N型摻雜半導體。