N溝增強(qiáng)型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。

柵極材料和半導(dǎo)體襯底材料的功函數(shù)差會影響MOS管的閾值電壓。

MOS的輸出特性曲線中，給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。

絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。

P溝增強(qiáng)型MOS管存在著一個柵極截止電壓。

處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對漏源電流的控制作用。

當(dāng)p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時，漏極將失去對漏源電流的控制能力。

雙極型晶體管內(nèi)部有（）個極，（）個區(qū)，（）個PN結(jié)。

理想的MOS管，柵極加上偏壓之后，溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。

1947年，（）等人制造了第一個晶體管。