柵極材料與半導體材料的功函數(shù)差會因半導體材料的摻雜濃度變化而變化。

半導體具有的負的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是（）年。

絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。

晶體管正常使用過程中，處于正偏的PN結(jié)是（）結(jié)，處于反偏的PN結(jié)是（）結(jié)。

MOS型場效應晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關(guān)的。

第一塊集成電路發(fā)明于（）年。

MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。

雙極型晶體管內(nèi)部有（）個極，（）個區(qū)，（）個PN結(jié)。

絕緣層材料的厚度會對MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。

N溝增強型MOS管襯底材料是N型摻雜半導體。