1947年，（）等人制造了第一個晶體管。

MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無關(guān)。

柵極材料和半導體襯底材料的功函數(shù)差會影響MOS管的閾值電壓。

MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。

雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。

晶體管正常使用過程中，處于正偏的PN結(jié)是（）結(jié)，處于反偏的PN結(jié)是（）結(jié)。

絕緣層材料的厚度會對MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。

處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管，漏極將失去對溝道電流的控制能力。

半導體的主要特征有（）（）（）和（）。

“合金型晶體管”，“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中，目前生產(chǎn)最主要的一種是（）。