實際的MOS管，絕緣層相當于一個電阻無限大的絕緣體，其中沒有任何雜質(zhì)和缺陷。

處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管，漏極將失去對溝道電流的控制能力。

晶體管的全部應用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。

絕緣層材料的厚度會對MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。

MOS管可以分為4類型，其中p溝增強型MOS的載流子主要是電子。

N溝增強型MOS管襯底材料是N型摻雜半導體。

氧化鋁（Al2O3）的介電常數(shù)一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數(shù)。

MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無關(guān)。

處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對漏源電流的控制作用。

n溝耗盡型MOS型場效應晶體管的閾值電壓一定大于相應的n溝增強型MOS管的閾值電壓。