（）是最早實(shí)現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導(dǎo)體材料。

MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無關(guān)。

處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對漏源電流的控制作用。

半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。

MOS管閾值電壓的單位是eV。

MOS管可以分為4類型，其中p溝增強(qiáng)型MOS的載流子主要是電子。

P溝增強(qiáng)型MOS管存在著一個(gè)柵極截止電壓。

晶體管正常使用過程中，處于正偏的PN結(jié)是（）結(jié)，處于反偏的PN結(jié)是（）結(jié)。

n溝耗盡型MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓一定大于相應(yīng)的n溝增強(qiáng)型MOS管的閾值電壓。

氧化鋁（Al2O3）的介電常數(shù)一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數(shù)。