N溝增強(qiáng)型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。

半導(dǎo)體的主要特征有（）（）（）和（）。

第一塊集成電路發(fā)明于（）年。

絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。

MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。

處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對(duì)漏源電流的控制作用。

雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。

P溝增強(qiáng)型MOS管存在著一個(gè)柵極截止電壓。

MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。

N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。