單項(xiàng)選擇題失效表明離子交換樹脂可供交換的（）大為減少。
A.Cｌ¯
B.NA
C.H﹢和OH¯
D.CA
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1.單項(xiàng)選擇題懸浮區(qū)熔法檢驗(yàn)多晶硅中基磷含量時(shí)，采用快速區(qū)熔法的工藝時(shí)，第一次區(qū)熔時(shí)，第一區(qū)熔區(qū)停留揮發(fā)時(shí)間（）左右。
A.3ｍｉｎ
B.5ｍｉｎ
C.7ｍｉｎ
D.10ｍｉｎ
2.單項(xiàng)選擇題光圖定向法結(jié)果直觀，操作（），誤差（）。
A．簡(jiǎn)單較大
B．復(fù)雜較大
C．簡(jiǎn)單較小
D．復(fù)雜較小
3.單項(xiàng)選擇題（）是影響硅器件成品率的一個(gè)重要因素，也是影響器件性能的穩(wěn)定性和可靠性的重要因素。
A.點(diǎn)缺陷
B.線缺陷
C.面缺陷
D.微缺陷
4.單項(xiàng)選擇題用冷熱探筆法測(cè)量（）半導(dǎo)體時(shí)，冷端帶正電，熱端帶負(fù)電。
A.P型
B.N
C.PN型
D.以上皆不是
最新試題
晶體管正常使用過程中，處于正偏的PN結(jié)是（）結(jié)，處于反偏的PN結(jié)是（）結(jié)。
題型：填空題
MOS管閾值電壓的單位是eV。
題型：判斷題
理想的MOS管其柵極電壓只會(huì)落在絕緣層和半導(dǎo)體襯底表面層上，柵極分壓占比小于50%。
題型：判斷題
絕緣層材料的厚度會(huì)對(duì)MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。
題型：判斷題
MOS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關(guān)的。
題型：判斷題
“合金型晶體管”，“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中，目前生產(chǎn)最主要的一種是（）。
題型：填空題
第一塊集成電路發(fā)明于（）年。
題型：填空題
絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。
題型：判斷題
（）是最早實(shí)現(xiàn)提純和完美晶體生長(zhǎng)的半導(dǎo)體材料。
題型：填空題
半導(dǎo)體具有的負(fù)的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是（）年。
題型：填空題