MOS的輸出特性曲線中，給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。

半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。

雙極型晶體管內(nèi)部有（）個極，（）個區(qū)，（）個PN結(jié)。

MOS管閾值電壓的單位是eV。

1947年，（）等人制造了第一個晶體管。

P溝增強(qiáng)型MOS管存在著一個柵極截止電壓。

晶體管的全部應(yīng)用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。

MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。

（）是最早實(shí)現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導(dǎo)體材料。

柵極材料和半導(dǎo)體襯底材料的功函數(shù)差會影響MOS管的閾值電壓。