問(wèn)答題直流四探針發(fā)測(cè)量電阻率的基本原理是？
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.問(wèn)答題影響硅單晶電化學(xué)腐蝕速度的因素有哪些？
2.問(wèn)答題半導(dǎo)體單晶中的點(diǎn)缺陷包括什么？
3.問(wèn)答題單色X射線衍射法的精度收哪些影響？
4.問(wèn)答題紅外光譜法在氧、碳測(cè)試中受哪些影響？
5.問(wèn)答題簡(jiǎn)述懸浮區(qū)熔法檢驗(yàn)硅多晶中硼、磷含量的原理.
最新試題
MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。
題型：判斷題
（）是最早實(shí)現(xiàn)提純和完美晶體生長(zhǎng)的半導(dǎo)體材料。
題型：填空題
氧化鋁（Al2O3）的介電常數(shù)一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數(shù)。
題型：判斷題
第一塊集成電路發(fā)明于（）年。
題型：填空題
MOS管閾值電壓的單位是eV。
題型：判斷題
P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
題型：判斷題
理想的MOS管其柵極電壓只會(huì)落在絕緣層和半導(dǎo)體襯底表面層上，柵極分壓占比小于50%。
題型：判斷題
柵極材料與半導(dǎo)體材料的功函數(shù)差會(huì)因半導(dǎo)體材料的摻雜濃度變化而變化。
題型：判斷題
MOS管的閾值電壓是漏源之間的導(dǎo)電溝道出現(xiàn)強(qiáng)反型時(shí)的最小柵極電壓，即半導(dǎo)體的表面勢(shì)大于費(fèi)米勢(shì)時(shí)的柵極電壓。
題型：判斷題
n溝耗盡型MOS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓一定大于相應(yīng)的n溝增強(qiáng)型MOS管的閾值電壓。
題型：判斷題