A、無(wú)色透明
B、易燃易爆
C、不易揮發(fā)和水解
D、有刺激性氣味
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A.具有較大的內(nèi)表面，吸附容量大
B.具有一定的機(jī)械強(qiáng)度，耐熱沖擊，耐腐蝕
C.不易得，昂貴
D.容易再生
A、氧
B、硼
C、溫度
D、濕度
A、形狀太凹
B、形狀太凸
C、過(guò)于平整
D、無(wú)變化
A、溫度場(chǎng)
B、磁場(chǎng)
C、重力場(chǎng)
D、電場(chǎng)
A.金剛石型和直接禁帶型
B.閃鋅礦型和直接禁帶型
C.金剛石型和間接禁帶型
D.閃鋅礦型和間接禁帶型
最新試題
柵極材料與半導(dǎo)體材料的功函數(shù)差會(huì)因半導(dǎo)體材料的摻雜濃度變化而變化。
雙極型晶體管內(nèi)部有（）個(gè)極，（）個(gè)區(qū)，（）個(gè)PN結(jié)。
MOS管閾值電壓的單位是eV。
半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。
當(dāng)p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時(shí)，漏極將失去對(duì)漏源電流的控制能力。
MOS管的閾值電壓是漏源之間的導(dǎo)電溝道出現(xiàn)強(qiáng)反型時(shí)的最小柵極電壓，即半導(dǎo)體的表面勢(shì)大于費(fèi)米勢(shì)時(shí)的柵極電壓。
MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無(wú)關(guān)。
柵極材料和半導(dǎo)體襯底材料的功函數(shù)差會(huì)影響MOS管的閾值電壓。
晶體管的全部應(yīng)用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。
N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。