單項(xiàng)選擇題在晶體凝固過(guò)程中，存在溫度梯度的是（）.
A.上部和邊緣部分
B.中部和邊緣部分
C.上部和底部
D.底部和邊緣部分
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1.單項(xiàng)選擇題硅元素的原子序數(shù)是（）.
A.13
B.14
C.15
D.16
2.單項(xiàng)選擇題以下哪一種屬于金剛石結(jié)構(gòu)（）.
A.Si
B.Cu
C.Fe
D.Al
3.單項(xiàng)選擇題半導(dǎo)體工業(yè)所用的硅單晶（）是用CZ法生長(zhǎng)的。
A.70%
B.80%
C.90%
D.60%
4.單項(xiàng)選擇題下列屬于單晶硅片的一般形狀（）.
A.方形
B.三角形
C.橢圓形
D.梯形
5.單項(xiàng)選擇題下列不屬于非晶硅優(yōu)點(diǎn)的是（）.
A.制備方法簡(jiǎn)單
B.工藝成本低
C.制備溫度高
D.可大面積制備
最新試題
處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管，漏極將失去對(duì)溝道電流的控制能力。
題型：判斷題
P溝增強(qiáng)型MOS管存在著一個(gè)柵極截止電壓。
題型：判斷題
當(dāng)p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時(shí)，漏極將失去對(duì)漏源電流的控制能力。
題型：判斷題
N型襯底的MOS管的伏安特性曲線(xiàn)可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
題型：判斷題
MOS管的閾值電壓是漏源之間的導(dǎo)電溝道出現(xiàn)強(qiáng)反型時(shí)的最小柵極電壓，即半導(dǎo)體的表面勢(shì)大于費(fèi)米勢(shì)時(shí)的柵極電壓。
題型：判斷題
理想的MOS管其柵極電壓只會(huì)落在絕緣層和半導(dǎo)體襯底表面層上，柵極分壓占比小于50%。
題型：判斷題
N溝增強(qiáng)型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。
題型：判斷題
半導(dǎo)體的主要特征有（）（）（）和（）。
題型：填空題
柵極材料和半導(dǎo)體襯底材料的功函數(shù)差會(huì)影響MOS管的閾值電壓。
題型：判斷題
（）是最早實(shí)現(xiàn)提純和完美晶體生長(zhǎng)的半導(dǎo)體材料。
題型：填空題