單項(xiàng)選擇題列多晶硅生長(zhǎng)過程中需要通入氬氣做保護(hù)氣的是（）.
A.加熱
B.化料
C.晶體生長(zhǎng)
D.冷卻
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1.單項(xiàng)選擇題在晶體凝固過程中，存在溫度梯度的是（）.
A.上部和邊緣部分
B.中部和邊緣部分
C.上部和底部
D.底部和邊緣部分
2.單項(xiàng)選擇題硅元素的原子序數(shù)是（）.
A.13
B.14
C.15
D.16
3.單項(xiàng)選擇題以下哪一種屬于金剛石結(jié)構(gòu)（）.
A.Si
B.Cu
C.Fe
D.Al
4.單項(xiàng)選擇題半導(dǎo)體工業(yè)所用的硅單晶（）是用CZ法生長(zhǎng)的。
A.70%
B.80%
C.90%
D.60%
5.單項(xiàng)選擇題下列屬于單晶硅片的一般形狀（）.
A.方形
B.三角形
C.橢圓形
D.梯形
最新試題
雙極型晶體管內(nèi)部有（）個(gè)極，（）個(gè)區(qū)，（）個(gè)PN結(jié)。
題型：填空題
半導(dǎo)體的主要特征有（）（）（）和（）。
題型：填空題
MOS管可以分為4類型，其中p溝增強(qiáng)型MOS的載流子主要是電子。
題型：判斷題
N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
題型：判斷題
n溝耗盡型MOS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓一定大于相應(yīng)的n溝增強(qiáng)型MOS管的閾值電壓。
題型：判斷題
理想的MOS管其柵極電壓只會(huì)落在絕緣層和半導(dǎo)體襯底表面層上，柵極分壓占比小于50%。
題型：判斷題
P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
題型：判斷題
晶體管的全部應(yīng)用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。
題型：填空題
（）是最早實(shí)現(xiàn)提純和完美晶體生長(zhǎng)的半導(dǎo)體材料。
題型：填空題
MOS管閾值電壓的單位是eV。
題型：判斷題