單項(xiàng)選擇題測(cè)量硅中氧濃度常用的方法是（）.
A.帶電粒子活化法
B.熔化分析法
C.離子質(zhì)譜法
D.紅外光譜分析法
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1.單項(xiàng)選擇題下列鑄造多晶硅的制備方法中,（）沒(méi)有坩堝的消耗，降低了成本，同時(shí)又可減少雜質(zhì)污染長(zhǎng)度。
A.布里曼法
B.熱交換法
C.電磁鑄錠法
D.澆鑄法
2.單項(xiàng)選擇題列多晶硅生長(zhǎng)過(guò)程中需要通入氬氣做保護(hù)氣的是（）.
A.加熱
B.化料
C.晶體生長(zhǎng)
D.冷卻
3.單項(xiàng)選擇題在晶體凝固過(guò)程中，存在溫度梯度的是（）.
A.上部和邊緣部分
B.中部和邊緣部分
C.上部和底部
D.底部和邊緣部分
4.單項(xiàng)選擇題硅元素的原子序數(shù)是（）.
A.13
B.14
C.15
D.16
5.單項(xiàng)選擇題以下哪一種屬于金剛石結(jié)構(gòu)（）.
A.Si
B.Cu
C.Fe
D.Al
最新試題
雙極型晶體管內(nèi)部有（）個(gè)極，（）個(gè)區(qū)，（）個(gè)PN結(jié)。
題型：填空題
處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對(duì)漏源電流的控制作用。
題型：判斷題
晶體管的全部應(yīng)用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。
題型：填空題
N溝增強(qiáng)型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。
題型：判斷題
理想的MOS管，柵極加上偏壓之后，溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。
題型：判斷題
柵極材料與半導(dǎo)體材料的功函數(shù)差會(huì)因半導(dǎo)體材料的摻雜濃度變化而變化。
題型：判斷題
n溝耗盡型MOS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓一定大于相應(yīng)的n溝增強(qiáng)型MOS管的閾值電壓。
題型：判斷題
半導(dǎo)體的主要特征有（）（）（）和（）。
題型：填空題
MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。
題型：判斷題
P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
題型：判斷題