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問答題假定兩種半導(dǎo)體除禁帶寬度以外的其他性質(zhì)相同，材料1的禁帶寬度為1.1eV，材料2的禁帶寬度為3.0eV，計算兩種半導(dǎo)體材料的本征載流子濃度比值，哪一種半導(dǎo)體材料更適合制作高溫環(huán)境下工作的器件？

1.問答題簡述單晶、多晶、非晶體材料結(jié)構(gòu)的基本特點。

2.問答題假設(shè)有一種半導(dǎo)體材料，晶格常數(shù)a=0.5555nm，如果以Si_1-xGe_x固溶體為襯底，請Si_1-xGe_x的最佳組分是多少？Si晶格常數(shù)0.5431nm；Ge晶格常數(shù)0.5658nm？

3.問答題 從四元固溶體的帶隙與晶格常數(shù)圖，說明與GaAs晶格（0.5653nm）相匹配的固溶體的帶隙可調(diào)整大致的范圍是多少？

4.問答題四元固溶體半導(dǎo)體與三元固溶體半導(dǎo)體相比的優(yōu)勢是什么？

5.問答題簡述在生長III-V族化合物時指出MBE、MOVPE和CBE法使用的III族源及各自的生長機理。