問答題假設有一種半導體材料，晶格常數(shù)a=0.5555nm，如果以Si1-xGex固溶體為襯底，請Si1-xGex的最佳組分是多少？Si晶格常數(shù)0.5431nm；Ge晶格常數(shù)0.5658nm？
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四元固溶體的帶隙與晶格常數(shù)圖，說明與GaAs晶格（0.5653nm）相匹配的固溶體的帶隙可調(diào)整大致的范圍是多少？
最新試題
實際的MOS管，絕緣層相當于一個電阻無限大的絕緣體，其中沒有任何雜質(zhì)和缺陷。
題型：判斷題
半導體的主要特征有（）（）（）和（）。
題型：填空題
MOS管閾值電壓的單位是eV。
題型：判斷題
“合金型晶體管”，“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中，目前生產(chǎn)最主要的一種是（）。
題型：填空題
絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。
題型：判斷題
n溝耗盡型MOS型場效應晶體管的閾值電壓一定大于相應的n溝增強型MOS管的閾值電壓。
題型：判斷題
MOS管的閾值電壓是漏源之間的導電溝道出現(xiàn)強反型時的最小柵極電壓，即半導體的表面勢大于費米勢時的柵極電壓。
題型：判斷題
MOS管可以分為4類型，其中p溝增強型MOS的載流子主要是電子。
題型：判斷題
氧化鋁（Al2O3）的介電常數(shù)一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數(shù)。
題型：判斷題
雙極型晶體管內(nèi)部有（）個極，（）個區(qū)，（）個PN結(jié)。
題型：填空題