問(wèn)答題注入離子在耙內(nèi)的能量損失的過(guò)程？
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1.問(wèn)答題半導(dǎo)體工藝技術(shù)的主要摻雜工藝包括哪兩種？
2.問(wèn)答題雜質(zhì)在硅中的擴(kuò)散方式有哪些？
3.問(wèn)答題二氧化硅結(jié)構(gòu)中的氧原子可分為哪幾種？
4.問(wèn)答題什么是外延層？為什么在硅片上使用外延層？
5.問(wèn)答題自摻雜效應(yīng)與互擴(kuò)散效應(yīng)
最新試題
氧化鋁（Al2O3）的介電常數(shù)一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數(shù)。
題型：判斷題
（）是最早實(shí)現(xiàn)提純和完美晶體生長(zhǎng)的半導(dǎo)體材料。
題型：填空題
MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。
題型：判斷題
半導(dǎo)體的主要特征有（）（）（）和（）。
題型：填空題
處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對(duì)漏源電流的控制作用。
題型：判斷題
MOS管的閾值電壓是漏源之間的導(dǎo)電溝道出現(xiàn)強(qiáng)反型時(shí)的最小柵極電壓，即半導(dǎo)體的表面勢(shì)大于費(fèi)米勢(shì)時(shí)的柵極電壓。
題型：判斷題
雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。
題型：填空題
實(shí)際的MOS管，絕緣層相當(dāng)于一個(gè)電阻無(wú)限大的絕緣體，其中沒(méi)有任何雜質(zhì)和缺陷。
題型：判斷題
n溝耗盡型MOS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓一定大于相應(yīng)的n溝增強(qiáng)型MOS管的閾值電壓。
題型：判斷題
P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
題型：判斷題