實際的MOS管，絕緣層相當于一個電阻無限大的絕緣體，其中沒有任何雜質(zhì)和缺陷。

柵極材料與半導體材料的功函數(shù)差會因半導體材料的摻雜濃度變化而變化。

P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。

半導體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。

N溝增強型MOS管襯底材料是N型摻雜半導體。

MOS型場效應晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關(guān)的。

理想的MOS管，柵極加上偏壓之后，溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。

MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。

MOS管閾值電壓的單位是eV。