處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管，漏極將失去對溝道電流的控制能力。

當p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時，漏極將失去對漏源電流的控制能力。

第一塊集成電路發(fā)明于（）年。

理想的MOS管，柵極加上偏壓之后，溝道表面將產生一定厚度的耗盡層。

P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

氧化鋁（Al2O3）的介電常數(shù)一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數(shù)。

p型襯底材料的MOS管，其半導體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。

實際的MOS管，絕緣層相當于一個電阻無限大的絕緣體，其中沒有任何雜質和缺陷。

絕緣層材料的厚度會對MOS管的閾值電壓產生影響。

N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。