MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關(guān)的。

MOS管閾值電壓的單位是eV。

當(dāng)p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時，漏極將失去對漏源電流的控制能力。

晶體管正常使用過程中，處于正偏的PN結(jié)是（）結(jié)，處于反偏的PN結(jié)是（）結(jié)。

理想的MOS管其柵極電壓只會落在絕緣層和半導(dǎo)體襯底表面層上，柵極分壓占比小于50%。

MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無關(guān)。

第一塊集成電路發(fā)明于（）年。

MOS管可以分為4類型，其中p溝增強型MOS的載流子主要是電子。

雙極型晶體管內(nèi)部有（）個極，（）個區(qū)，（）個PN結(jié)。

柵極材料與半導(dǎo)體材料的功函數(shù)差會因半導(dǎo)體材料的摻雜濃度變化而變化。