問答題一定溫度，雜質(zhì)在晶體中具有最大平衡濃度，這一平衡濃度就稱為什么？
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1.單項選擇題正常凝固是最寬熔區(qū)的區(qū)域提純，在進(jìn)行第一次熔化過后，能不能進(jìn)入第二次提純這個階段（）.
A、能
B、不能
C、不確定
D、有時可以，有時不可以
2.單項選擇題當(dāng)晶體生長的較快，內(nèi)坩堝中雜質(zhì)量變少，晶體的電阻率（）.
A.上升
B.下降
C.不變
D.不確定
3.單項選擇題制備單晶硅薄膜方面的主要工藝方法是（）.
A.汽-固
B.液-固
C.固-固
D.汽-液
4.單項選擇題測量硅中氧濃度常用的方法是（）.
A.帶電粒子活化法
B.熔化分析法
C.離子質(zhì)譜法
D.紅外光譜分析法
5.單項選擇題下列鑄造多晶硅的制備方法中,（）沒有坩堝的消耗，降低了成本，同時又可減少雜質(zhì)污染長度。
A.布里曼法
B.熱交換法
C.電磁鑄錠法
D.澆鑄法
最新試題
柵極材料和半導(dǎo)體襯底材料的功函數(shù)差會影響MOS管的閾值電壓。
題型：判斷題
處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管，漏極將失去對溝道電流的控制能力。
題型：判斷題
“合金型晶體管”，“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中，目前生產(chǎn)最主要的一種是（）。
題型：填空題
MOS管可以分為4類型，其中p溝增強(qiáng)型MOS的載流子主要是電子。
題型：判斷題
半導(dǎo)體具有的負(fù)的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是（）年。
題型：填空題
處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對漏源電流的控制作用。
題型：判斷題
MOS管的閾值電壓是漏源之間的導(dǎo)電溝道出現(xiàn)強(qiáng)反型時的最小柵極電壓，即半導(dǎo)體的表面勢大于費米勢時的柵極電壓。
題型：判斷題
MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。
題型：判斷題
當(dāng)p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時，漏極將失去對漏源電流的控制能力。
題型：判斷題
絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。
題型：判斷題