單項(xiàng)選擇題當(dāng)晶體生長的較快，內(nèi)坩堝中雜質(zhì)量變少，晶體的電阻率（）.
A.上升
B.下降
C.不變
D.不確定
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1.單項(xiàng)選擇題制備單晶硅薄膜方面的主要工藝方法是（）.
A.汽-固
B.液-固
C.固-固
D.汽-液
2.單項(xiàng)選擇題測量硅中氧濃度常用的方法是（）.
A.帶電粒子活化法
B.熔化分析法
C.離子質(zhì)譜法
D.紅外光譜分析法
3.單項(xiàng)選擇題下列鑄造多晶硅的制備方法中,（）沒有坩堝的消耗，降低了成本，同時又可減少雜質(zhì)污染長度。
A.布里曼法
B.熱交換法
C.電磁鑄錠法
D.澆鑄法
4.單項(xiàng)選擇題列多晶硅生長過程中需要通入氬氣做保護(hù)氣的是（）.
A.加熱
B.化料
C.晶體生長
D.冷卻
5.單項(xiàng)選擇題在晶體凝固過程中，存在溫度梯度的是（）.
A.上部和邊緣部分
B.中部和邊緣部分
C.上部和底部
D.底部和邊緣部分
最新試題
第一塊集成電路發(fā)明于（）年。
題型：填空題
n溝耗盡型MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓一定大于相應(yīng)的n溝增強(qiáng)型MOS管的閾值電壓。
題型：判斷題
MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關(guān)的。
題型：判斷題
晶體管正常使用過程中，處于正偏的PN結(jié)是（）結(jié)，處于反偏的PN結(jié)是（）結(jié)。
題型：填空題
理想的MOS管，柵極加上偏壓之后，溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。
題型：判斷題
P溝增強(qiáng)型MOS管存在著一個柵極截止電壓。
題型：判斷題
氧化鋁（Al2O3）的介電常數(shù)一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數(shù)。
題型：判斷題
MOS管閾值電壓的單位是eV。
題型：判斷題
MOS管可以分為4類型，其中p溝增強(qiáng)型MOS的載流子主要是電子。
題型：判斷題
MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無關(guān)。
題型：判斷題