單項(xiàng)選擇題不同窯型生產(chǎn)的熟料最易磨的為（）。
A、立窯熟料
B、濕法回轉(zhuǎn)窯熟料
C、干法回轉(zhuǎn)窯熟料
D、回轉(zhuǎn)要熟料+礦渣
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1.單項(xiàng)選擇題水泥煅燒過程中，固相反應(yīng)發(fā)生在（）。
A、干燥帶
B、預(yù)熱帶
C、放熱反應(yīng)帶
D、燒成帶
2.單項(xiàng)選擇題阿利特在適量液相存在的條件下，生成溫度大約在（）。
A、800℃
B、1250℃
C、1600℃
D、2000℃
3.單項(xiàng)選擇題熱壓燒成一般應(yīng)用于哪種材料的制備？（）
A、水泥
B、玻璃
C、陶瓷
D、耐火材料
4.單項(xiàng)選擇題高嶺土中的結(jié)合水為哪種結(jié)合水？（）
A、化學(xué)結(jié)合水
B、物理化學(xué)結(jié)合水
C、機(jī)械結(jié)合水
5.單項(xiàng)選擇題水泥生產(chǎn)過程中要嚴(yán)格控制游離CaO的量，因?yàn)樗苯佑绊懰啵ǎ┬阅堋?/a>
A、水泥強(qiáng)度性能
B、水泥體積安定性
C、凝結(jié)時(shí)間
D、抗侵蝕性能。
最新試題
下列選項(xiàng)中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
題型：單項(xiàng)選擇題
PN結(jié)的基本特性是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：單項(xiàng)選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
題型：單項(xiàng)選擇題
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
題型：單項(xiàng)選擇題
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）
題型：單項(xiàng)選擇題
對于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
題型：單項(xiàng)選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
題型：單項(xiàng)選擇題
下列是晶體的是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題