柵極材料與半導體材料的功函數(shù)差會因半導體材料的摻雜濃度變化而變化。

p型襯底材料的MOS管，其半導體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。

（）是最早實現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導體材料。

當p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時，漏極將失去對漏源電流的控制能力。

MOS的輸出特性曲線中，給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。

P溝增強型MOS管存在著一個柵極截止電壓。

MOS管的閾值電壓是漏源之間的導電溝道出現(xiàn)強反型時的最小柵極電壓，即半導體的表面勢大于費米勢時的柵極電壓。

MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。

晶體管的全部應用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。

n溝耗盡型MOS型場效應晶體管的閾值電壓一定大于相應的n溝增強型MOS管的閾值電壓。