半導體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。

MOS管可以分為4類型，其中p溝增強型MOS的載流子主要是電子。

處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管，漏極將失去對溝道電流的控制能力。

晶體管的全部應用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。

理想的MOS管其柵極電壓只會落在絕緣層和半導體襯底表面層上，柵極分壓占比小于50%。

MOS管的轉移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關系曲線。

處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對漏源電流的控制作用。

1947年，（）等人制造了第一個晶體管。

P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。