MOS管的閾值電壓是漏源之間的導電溝道出現(xiàn)強反型時的最小柵極電壓，即半導體的表面勢大于費米勢時的柵極電壓。

當p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時，漏極將失去對漏源電流的控制能力。

（）是最早實現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導體材料。

晶體管正常使用過程中，處于正偏的PN結是（）結，處于反偏的PN結是（）結。

“合金型晶體管”，“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中，目前生產最主要的一種是（）。

半導體的主要特征有（）（）（）和（）。

N溝增強型MOS管襯底材料是N型摻雜半導體。

MOS管的轉移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關系曲線。

處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管，漏極將失去對溝道電流的控制能力。

理想的MOS管其柵極電壓只會落在絕緣層和半導體襯底表面層上，柵極分壓占比小于50%。