單項(xiàng)選擇題載流導(dǎo)體在磁場(chǎng)中所受到磁場(chǎng)力的方向由（）確定。
A、右手定則
B、右手螺旋定則
C、左手定則
D、歐姆定律
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1.單項(xiàng)選擇題直導(dǎo)體切割磁力線產(chǎn)生感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)的方向可由（）確定。
A、右手定則
B、右手螺旋定則
C、左手定則
D、歐姆定律
2.單項(xiàng)選擇題電流所產(chǎn)生磁場(chǎng)的方向按（）確定。
A、歐姆定律
B、右手螺旋定則
C、基爾霍夫定律
D、楞次定律
3.單項(xiàng)選擇題電場(chǎng)強(qiáng)度的單位符號(hào)是（）。
A、V/m
B、V
C、W
D、VA
最新試題
處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對(duì)漏源電流的控制作用。
題型：判斷題
處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管，漏極將失去對(duì)溝道電流的控制能力。
題型：判斷題
N溝增強(qiáng)型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。
題型：判斷題
MOS管可以分為4類型，其中p溝增強(qiáng)型MOS的載流子主要是電子。
題型：判斷題
半導(dǎo)體的主要特征有（）（）（）和（）。
題型：填空題
p型襯底材料的MOS管，其半導(dǎo)體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。
題型：判斷題
實(shí)際的MOS管，絕緣層相當(dāng)于一個(gè)電阻無(wú)限大的絕緣體，其中沒(méi)有任何雜質(zhì)和缺陷。
題型：判斷題
理想的MOS管其柵極電壓只會(huì)落在絕緣層和半導(dǎo)體襯底表面層上，柵極分壓占比小于50%。
題型：判斷題
當(dāng)p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時(shí)，漏極將失去對(duì)漏源電流的控制能力。
題型：判斷題
MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。
題型：判斷題