單項選擇題功率三角形中,功率因數角所對的邊是()。
A、視在功率
B、瞬時功率
C、有功功率
D、無功功率
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1.單項選擇題電阻與電感串聯的交流電路中,當電阻與感抗相等時,則電壓與電流的相位關系是()。
A、電壓超前π/2
B、電壓超前π/3
C、電壓超前π/4
D、電壓滯后π/4
2.單項選擇題在純電感交流電路中,電壓保持不變,提高電源頻率,電路中的電流將會()。
A、明顯增大
B、略有增大
C、不變
D、減小
3.單項選擇題正弦交流電路中,一般電壓表的指示值是()。
A、最大值
B、瞬時值
C、平均值
D、有效值
4.單項選擇題電容量的單位符號是()。
A、C
B、F
C、S
D、T
5.單項選擇題純電感電路中的電流與電壓的相位關系是()。
A.電壓超前π/2
B.電壓滯后π/2
C.同相
D.反相
最新試題
MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關系曲線。
題型:判斷題
晶體管正常使用過程中,處于正偏的PN結是()結,處于反偏的PN結是()結。
題型:填空題
MOS管閾值電壓的單位是eV。
題型:判斷題
P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調電阻區(qū),飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
題型:判斷題
當p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時,漏極將失去對漏源電流的控制能力。
題型:判斷題
P溝增強型MOS管存在著一個柵極截止電壓。
題型:判斷題
半導體的主要特征有()()()和()。
題型:填空題
MOS型場效應晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關的。
題型:判斷題
N溝增強型MOS管襯底材料是N型摻雜半導體。
題型:判斷題
雙極型晶體管內部有()個極,()個區(qū),()個PN結。
題型:填空題