單項(xiàng)選擇題在純電感交流電路中，電壓保持不變，提高電源頻率，電路中的電流將會(huì)（）。
A、明顯增大
B、略有增大
C、不變
D、減小
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1.單項(xiàng)選擇題正弦交流電路中，一般電壓表的指示值是（）。
A、最大值
B、瞬時(shí)值
C、平均值
D、有效值
2.單項(xiàng)選擇題電容量的單位符號(hào)是（）。
A、C
B、F
C、S
D、T
3.單項(xiàng)選擇題純電感電路中的電流與電壓的相位關(guān)系是（）。
A.電壓超前π/2
B.電壓滯后π/2
C.同相
D.反相
最新試題
半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。
題型：判斷題
絕緣層材料的厚度會(huì)對(duì)MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。
題型：判斷題
雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。
題型：填空題
p型襯底材料的MOS管，其半導(dǎo)體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。
題型：判斷題
P溝增強(qiáng)型MOS管存在著一個(gè)柵極截止電壓。
題型：判斷題
處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管，漏極將失去對(duì)溝道電流的控制能力。
題型：判斷題
（）是最早實(shí)現(xiàn)提純和完美晶體生長(zhǎng)的半導(dǎo)體材料。
題型：填空題
理想的MOS管其柵極電壓只會(huì)落在絕緣層和半導(dǎo)體襯底表面層上，柵極分壓占比小于50%。
題型：判斷題
MOS管閾值電壓的單位是eV。
題型：判斷題
晶體管正常使用過(guò)程中，處于正偏的PN結(jié)是（）結(jié)，處于反偏的PN結(jié)是（）結(jié)。
題型：填空題