理想的MOS管，柵極加上偏壓之后，溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。

MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。

處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對漏源電流的控制作用。

MOS管的閾值電壓是漏源之間的導(dǎo)電溝道出現(xiàn)強(qiáng)反型時的最小柵極電壓，即半導(dǎo)體的表面勢大于費(fèi)米勢時的柵極電壓。

MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關(guān)的。

晶體管正常使用過程中，處于正偏的PN結(jié)是（）結(jié)，處于反偏的PN結(jié)是（）結(jié)。

理想的MOS管其柵極電壓只會落在絕緣層和半導(dǎo)體襯底表面層上，柵極分壓占比小于50%。

雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。

雙極型晶體管內(nèi)部有（）個極，（）個區(qū)，（）個PN結(jié)。

N溝增強(qiáng)型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。