單項(xiàng)選擇題硅酸鹽熔體中各種聚合程度的聚合物濃度（數(shù)量）受（）因素的影響。

A.組成
B.溫度
C.時(shí)間
D.A+B+C


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1.單項(xiàng)選擇題位錯(cuò)的運(yùn)動(dòng)包括位錯(cuò)的滑移和位錯(cuò)的攀移，其中（）。

A.螺位錯(cuò)只作滑移，刃位錯(cuò)既可滑移又可攀移
B.刃位錯(cuò)只作滑移，螺位錯(cuò)只作攀移
C.螺位錯(cuò)只作攀移，刃位錯(cuò)既可滑移又可滑移
D.螺位錯(cuò)只作滑移，刃位錯(cuò)只作攀移

2.單項(xiàng)選擇題位錯(cuò)的具有重要的性質(zhì)，下列說法不正確的是（）。

A.位錯(cuò)不一定是直線
B.位錯(cuò)是已滑移區(qū)和未滑移區(qū)的邊界
C.位錯(cuò)可以中斷于晶體內(nèi)部
D.位錯(cuò)不能中斷于晶體內(nèi)部

3.單項(xiàng)選擇題熱缺陷亦稱為本征缺陷，是指由熱起伏的原因所產(chǎn)生的空位或間隙質(zhì)點(diǎn)（原子或離子）。生成弗侖克爾缺陷（Frenkeldefect）時(shí)，（）。

A.間隙和空位質(zhì)點(diǎn)同時(shí)成對(duì)出現(xiàn)
B.正離子空位和負(fù)離子空位同時(shí)成對(duì)出現(xiàn)
C.正離子間隙和負(fù)離子間隙同時(shí)成對(duì)出現(xiàn)
D.正離子間隙和位錯(cuò)同時(shí)成對(duì)出現(xiàn)

4.單項(xiàng)選擇題熱缺陷亦稱為本征缺陷，是指由熱起伏的原因所產(chǎn)生的空位或間隙質(zhì)點(diǎn)（原子或離子）。當(dāng)離子晶體生成肖特基缺陷（Schottkydefect）時(shí)，（）。

A.正離子空位和負(fù)離子空位是同時(shí)成對(duì)產(chǎn)生的，同時(shí)伴隨晶體體積的縮小
B.正離子空位和負(fù)離子空位是同時(shí)成對(duì)產(chǎn)生的，同時(shí)伴隨晶體體積的增加
C.正離子空位和負(fù)離子間隙是同時(shí)成對(duì)產(chǎn)生的，同時(shí)伴隨晶體體積的增加
D.正離子間隙和負(fù)離子空位是同時(shí)成對(duì)產(chǎn)生的，同時(shí)伴隨晶體體積的增加

5.單項(xiàng)選擇題位錯(cuò)的滑移是指位錯(cuò)在（）作用下，在滑移面上的運(yùn)動(dòng)，結(jié)果導(dǎo)致永久形變。

A.外力
B.熱應(yīng)力
C.化學(xué)力
D.結(jié)構(gòu)應(yīng)力