MOS管閾值電壓的單位是eV。

絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。

“合金型晶體管”，“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中，目前生產(chǎn)最主要的一種是（）。

處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對漏源電流的控制作用。

雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。

當(dāng)p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時(shí)，漏極將失去對漏源電流的控制能力。

半導(dǎo)體具有的負(fù)的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是（）年。

P溝增強(qiáng)型MOS管存在著一個(gè)柵極截止電壓。

實(shí)際的MOS管，絕緣層相當(dāng)于一個(gè)電阻無限大的絕緣體，其中沒有任何雜質(zhì)和缺陷。

MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。