MOS管可以分為4類型，其中p溝增強型MOS的載流子主要是電子。

半導體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。

絕緣層材料的厚度會對MOS管的閾值電壓產生影響。

晶體管的全部應用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。

“合金型晶體管”，“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中，目前生產最主要的一種是（）。

N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

（）是最早實現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導體材料。

理想的MOS管，柵極加上偏壓之后，溝道表面將產生一定厚度的耗盡層。

MOS型場效應晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關的。

理想的MOS管其柵極電壓只會落在絕緣層和半導體襯底表面層上，柵極分壓占比小于50%。