雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。

MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質濃度無關。

N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

MOS型場效應晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關的。

MOS管的轉移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關系曲線。

MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關系曲線。

絕緣層材料質量影響MOS管的閾值電壓。

“合金型晶體管”，“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中，目前生產(chǎn)最主要的一種是（）。

MOS管的閾值電壓是漏源之間的導電溝道出現(xiàn)強反型時的最小柵極電壓，即半導體的表面勢大于費米勢時的柵極電壓。

當p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時，漏極將失去對漏源電流的控制能力。