N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

MOS管可以分為4類型，其中p溝增強(qiáng)型MOS的載流子主要是電子。

半導(dǎo)體的主要特征有（）（）（）和（）。

“合金型晶體管”，“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中，目前生產(chǎn)最主要的一種是（）。

柵極材料和半導(dǎo)體襯底材料的功函數(shù)差會影響MOS管的閾值電壓。

第一塊集成電路發(fā)明于（）年。

p型襯底材料的MOS管，其半導(dǎo)體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。

雙極型晶體管內(nèi)部有（）個極，（）個區(qū)，（）個PN結(jié)。

（）是最早實(shí)現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導(dǎo)體材料。

P溝增強(qiáng)型MOS管存在著一個柵極截止電壓。